Kompetenzzentrum für Hochauflösende Supraleitende Sensoren (HSS)

Das Kompetenzzentrum für Hochauflösende Supraleitende Sensoren (HSS) ist eine weltweit einzigartige Einrichtung für die Entwicklung und (Massen-)Fabrikation supraleitender Teilchen- und Strahlendetektoren mit extrem hoher Energie- und Zeitauflösung, die aktuell am KIT aufgebaut wird. Die Einrichtung wird in Zusammenarbeit mit dem Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), dem Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS) sowie dem Kooperationspartner Kirchhoff-Institut für Physik der Universität Heidelberg betrieben.

 

Das Ziel des Zentrums ist es, Produktionskapazitäten für supraleitende Sensoren massiv zu erhöhen, und somit den Aufbau von auf supraleitenden Quantensensoren basierenden Großexperimenten zu ermöglichen. Die Fabrikation konzentriert sich auf kalorimetrische Tieftemperatur-Teilchendetektoren sowie auf Josephson-Tunnelkontakten basierende supraleitende Elektronik, wie z.B. dc-SQUIDs oder Mikrowellen-SQUID-Multiplexer. Um die Massenfertigung dieser Sensoren zu ermöglichen, ist der Maschinenpark auf die Verwendung von 6-Zoll-Substraten sowie eine automatisierte Prozessführung ausgelegt.

 

Übersicht der Fabrikationsanlagen

In der ersten Ausbaustufe von HSS besteht der Maschinenpark aus den folgenden Geräten:

 

  • UHV-Multikammer-Beschichtungssystem zur Deposition verschiedenster Materialien
  • ICP-PECVD-Beschichtungsanlage zur Deposition von Isolatoren
  • Fluorbasierte ICP-RIE-Ätzanlage zur Ätzung von Metallen
  • Fluorbasierte ICP-RIE-Ätzanlage für das Silizium-Tiefätzen und die Ätzung von Isolatoren
  • Chlorbasierte ICP-RIE-Ätzanlage zur Ätzung von Metallen
  • Direktschreibender Laserlithograph
  • Mehrere Nassprozesstische mit Spin-Coater, Spin-Developer und Hotplate
  • Galvanisches Abscheidungssystem für hochreine Goldschichten

HSS am Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS)

Lageplan der Technologie-Abteilung des IMS
 

 

Der finale Standort für HSS ist das Karlsuhe Center for Optics and Photonics (KCOP), dessen HSS-Nutzfläche auf Basis des Maschinenparks und der Nutzerwünsche optimal ausgelegt wurde, um eine effiziente und bestmögliche Nutzung aller Geräte zu ermöglichen. Da die Fertigstellung von KCOP für die erste Hälfte des Jahres 2026 gerechnet wird, erfolgt der Aufbau des HSS-Maschinenparks derzeit am ersten, temporären Installationsstandort, dem Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS). Ein Großteil des Maschinenparks ist bereits am KIT installiert und einsatzbereit.

 

Neben der Beschaffung der einzelnen Fabrikationsanlagen werden derzeit alle benötigten Fertigungsprozesse entwickelt und optimiert. Nach dem Umzug des Maschinenparks sowie der anschließenden Installationsphase wird HSS daher direkt einsatzfähig sein, da für die bereits optimierten Prozesse keine größeren Anpassungen mehr erwartet werden.

UHV-Multikammer-Depositionssystem

UHV-Multikammer-Depositionsanlage
 
Funktionsprinzip

Magnetronsputtern ist eine physikalische Beschichtungsmethode, bei der in einem Plasma erzeugte Ionen ein Sputtertarget beschießen. Die dabei abgelösten Atome werden anschließend auf einem Substrat abgeschieden.

 

Highlights
  • Deposition verschiedenster Materialien durch 12 Sputterquellen:
    • Supraleiter: Nb, Al, Ti, ...
    • Normalleiter: Au, Ag, Cu, ...
    • Legierungen: AgEr, AuEr, AuPd, ...
    • Isolatoren: SiO2, Si3N4, ...
  • Automatische Prozesskontrolle
  • Simultanes Prozessieren von bis zu fünf 6''-Substraten
  • Sehr hohe Schichtdickenhomogenität < 1 % @ 6 Zoll
  • Bestimmung der Depositionsrate mittels Schwingquarzsystems
  • Oxidationskammer mit Ionenquelle zur Vorreinigung

Aufrüstung des UHV-Multikammer-Depositionssystem (geplant 2026)

Aufgerüstete UHV-Multikammer-Depositionsanlage (Zeichnung: BESTEC GmbH)
 
Funktionsprinzip

Neu integrierte Beschichtungsmethode - Elektronenstrahlverdampfung: Erhitzung und Verdampfung von Material durch einen fokussierten Elektronenstrahl mit anschließender Abscheidung auf einer Substratoberfläche

 

Highlights
  • Aufrüstung 1 - Mehrtiegel-Elektronenstrahlverdampfer:
    • Sechs Schmelztiegel mit Aufnahmevermögen 6 × 20 cm³
    • Strahlleistung des Elektronenstrahls: 3 kW
    • Bestimmung der Depositionsrate mittels Schwingquarzsystems
  • Aufrüstung 2 - Magnetronsputterkammer für spezielle Materialien:
    • Erweiterter Temperaturbereich: -70 °C bis +750 °C
    • Vier frontal orientierte Sputterquellen verschiedener Größe

ICP-PECVD-Depositionssystem

ICP-PECVD-Depositionssystem
 
Funktionsprinzip

Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung der Isolatoren SiO2 und Si3N4 mithilfe von Monosilan und TEOS bei geringen, materialschonenden Prozesstemperaturen von ca. 100 °C.

 

Highlights
  • Abscheidung hochwertiger Dünnschichten
  • Hohe Schichtdickenhomogenität < 2 %
  • Schnelle Prozessführung durch hohe Depositionsraten
  • Exzellente Kantenabdeckung
  • Quasi-planares Auffüllen von Leitungszwischenräumen durch optimierte Kombination zyklischer Depositions- und Ätzvorgänge

ICP-RIE-Ätzsysteme

ICP-RIE-Ätzsysteme sowie ICP-PECVD-Depositionssystem
 
Funktionsprinzip

Anisotropes Trockenätzverfahren für verschiedene auf einem Substrat abgeschiedene Materialien durch chemisches oder physikalisches Ätzen mithilfe eines fluor- oder chlorbasierten Plasmas.

 

Highlights
  • Automatische Prozessführung
  • Ätzung einer Vielzahl von Materialien durch die Bereitstellung entsprechender Prozessgase
  • Erkennung des Prozessendes (Endpunktsdetektion):
    • Laserinterferometrie an der Substratoberfläche
    • Spektroskopie der Gaszusammensetzung

Direktschreibender Laserlitograph

Direktschreibender Laserlithograph
 
Funktionsprinzip

Direktbelichtung des Designs auf das mit Photolack beschichtete Substrat unter Verwendung eines 2D-Hochgeschwindigkeits-Raumlichtmodulators und eines 375-nm-Festkörperlasers.

 

Highlights
  • Belichtungssystem für Prototypenbau und Massenfabrikation:
    • Keine Verwendung von Photomasken
    • Schnelle Belichtung (9 min. für 4''-Wafer @ 100 mJ/mm²)
  • Minimale Strukturgröße 800 nm
  • Alignment-Genauigkeit 500 nm (Rückseiten-Alignment 1000 nm)
  • Fehlerminimierung durch kontaktlose Belichtung
  • 3D-Strukturierung durch 128-stufige Graustufen-Lithographie

Nassbank für Photolithographie-Prozesse

Nutzerspezifizierte Nassbank für Photolithographie-Prozesse
 
Funktionsprinzip

Nutzerspezifizierte Nassbank für Photolithographie-Prozesse, d.h. für die Belackung von Substraten, verschiedene Backschritte sowie der nach einer Belichtung folgende Entwicklungsprozess.

 

Highlights
  • Automatischer Belackungsschritt mittels Druckdosiersystems und Randentlackung
  • Automatischer Backprozess mithilfe von Stickstoffspülung mit optionalem Proximity-Backen
  • Automatisierte Photolackentwicklung mit abschließender DI-Wasserspülung und  Stickstofftrocknung